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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0390994 (1982-06-22) |
우선권정보 | DE-0024817 (1981-06-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 2 |
A luminescent diode is comprised of n- and p-conductive layer components in which a graded bandgap is present and between which a pn-junction is present. The p-conductive layer component is produced by means of an additional zinc additive during an epitaxy processing utilized for manufacturing the d
1. A method for the manufacture of a luminescent diode with a predetermined emission wavelength maximum, comprising the steps of: determining a desired emission wavelength maximum; providing a substrate member with a deposition face; providing a melt to be deposited and which comprises the elem
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