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SSICM guidance and control concept 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • F41G-007/22
출원번호 US-0521490 (1983-08-08)
발명자 / 주소
  • Howell, W. Max
출원인 / 주소
  • The United States of America as represented by the Secretary of the Army
대리인 / 주소
    Raubitschek, John H.Bellamy, Werten F. W.Sims, Robert C.
인용정보 피인용 횟수 : 32  인용 특허 : 1

초록

The guidance scheme utilizes wide beam width semi-active RF sensors, a prsion roll altitude reference, and a controlled grade pitch, yaw and roll rate gyros to deliver high quality homing guidance information to a spin stabilized controlled missile. A filtering system is utilized to eliminate error

대표청구항

1. In a missile guidance system for guiding a spin stabilized controlled missile towards a target by proportional navigation, the improvement comprising the method of utilizing fixed body mounted sensors for detecting the relative direction of the target and producing an output signal proportional t

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. Gulick Joseph F. (Clarksville MD) Miller James S. (Columbia MD) Pue Alan J. (Columbia MD), Broadband interferometer and direction finding missile guidance system.

이 특허를 인용한 특허 (32)

  1. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics.
  2. Gustafson Donald E. ; Lucia David J., Autonomous local vertical determination apparatus and methods for a ballistic body.
  3. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Conductive layers for hafnium silicon oxynitride.
  4. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films.
  5. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films.
  6. Schwarzkopf Gerhart (Uhldingen-Mhlhofen DEX) Dulat Bernd (Uberlingen/Bodensee DEX), Device for measuring the roll rate or roll attitude of a missile.
  7. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Dielectrics containing at least one of a refractory metal or a non-refractory metal.
  8. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Dielectrics containing at least one of a refractory metal or a non-refractory metal.
  9. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Dielectrics containing at least one of a refractory metal or a non-refractory metal.
  10. Hasson, Joseph; Goldner, Galya, Exo atmospheric intercepting system and method.
  11. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Hafnium lanthanide oxynitride films.
  12. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Hafnium lanthanide oxynitride films.
  13. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Hafnium tantalum oxide dielectrics.
  14. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Hafnium tantalum oxide dielectrics.
  15. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Hafnium tantalum oxide dielectrics.
  16. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Hafnium tantalum oxynitride dielectric.
  17. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Hafnium tantalum oxynitride dielectric.
  18. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates.
  19. Ahn, Kie Y.; Forbes, Leonard, Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films.
  20. Ahn,Kie Y.; Forbes,Leonard, Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films.
  21. Ahn,Kie Y.; Forbes,Leonard, Lanthanum hafnium oxide dielectrics.
  22. Cloutier James R., Proportional Guidance (PROGUIDE) and Augmented Proportional Guidance (Augmented PROGUIDE).
  23. Preston, Kenneth G.; Leal, Michael A.; Wilson, Rondell J.; Hussey, Richard C., Propulsion and maneuvering system with axial thrusters and method for axial divert attitude and control.
  24. Klaus ; Jr. Benjamin (Lexington MA), Seeker.
  25. Forbes,Leonard; Ahn,Kie Y.; Bhattacharyya,Arup, Silicon lanthanide oxynitride films.
  26. Grosso Vincent A. (Hopkinton MA) Fitzgerald Robert J. (Wayland MA) DeFonzo Richard J. (Northboro MA), Strap down roll reference.
  27. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum aluminum oxynitride high-K dielectric.
  28. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric.
  29. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum lanthanide oxynitride films.
  30. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum silicon oxynitride high-K dielectrics and metal gates.
  31. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum silicon oxynitride high-K dielectrics and metal gates.
  32. Forbes, Leonard; Ahn, Kie Y.; Bhattacharyya, Arup, Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates.
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