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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0681129 (1984-12-13) |
우선권정보 | JP-0004364 (1984-01-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 2 |
A method of manufacturing a semiconductor memory device having a trench memory capacitor. First masks are formed on an element forming region of a semiconductor substrate formed of the element forming region and an element isolation region. A film formed of a different material from that of the firs
A method of manufacturing a semiconductor memory device having a trench memory capacitor comprising the steps of: forming a first mask in an element forming region of a semiconductor substrate formed of said element forming region and an element isolation region; depositing a film formed of a materi
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