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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0505636 (1983-06-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 4 |
Phthalimides and the like in which the substituent on the imide nitrogen is a highly electron-deficient group may be prepared by the reaction of the appropriate amine with phthalic anhydride. These imides are useful for the preparation of polyimides by reaction with diamines.
A bisimide having the formula [Figure] wherein: Ar is a trivalent benzene or naphthalene radical having adjacent positions substituted by the carbonyl groups of the imide moiety; Q is a single bond, -CH2-, -C2H4-, -C(CH3)2-, -O-, [Figure] -Sx-, -SO2-or [Figure] Z is a highly electron-deficient heter
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