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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0657524 (1984-10-04) |
우선권정보 | JP-0184399 (1983-10-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 36 인용 특허 : 3 |
A dry-etching process comprising dry-etching treatment of semiconductor material by action of a gas and, if necessary, cleaning treatment, characterized in that at least one of the dry-etching and cleaning treatments is conducted under action of a gas composed essentially of a fluorinated ether.
A dry-etching process comprising a dry-etching treatment of a semiconductor material by action of a gas, characterized in that the dry-etching treatment is conducted under action of a gas composed essentially of a fluorinated ether.
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