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특허 상세정보

Method for making a silicon carbide substrate

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-019/00   
미국특허분류(USC) 156/624 ; 156/DIG ; 64
출원번호 US-0369911 (1982-04-19)
우선권정보 JP-0007834 (1979-01-25); JP-0010199 (1979-01-29); JP-0052198 (1979-04-26); JP-0053934 (1979-04-28); JP-0056120 (1979-05-07); JP-0056134 (1979-05-07); JP-0056129 (1979-05-07); JP-0056118 (1979-05-07); JP-0121
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 3
초록

A silicon carbide seed layer is first formed on a (111) major surface of a silicon substrate through the use of the conventional chemical vapor deposition method. The silicon carbide seed layer includes a first surface confronting the silicon substrate. The first surface shows a predetermined grain alignment oriented with the (111) major surface of the silicon substrate even though the deposition is carried out at a temperature below the melting point of the silicon substrate. Then, the silicon substrate is melted so that the first surface of the silicon...

대표
청구항

A method for fabricating a silicon carbide substrate comprising the steps of: providing a clean surface silicon base plate; depositing a silicon carbide seed layer on said clean surface silicon base plate, said silicon carbide seed layer including a first surface confronting said clean surface silicon base plate; displacing said silicon base plate; and exposing said first surface of said silicon carbide seed layer to molten silicon including carbon material therein, whereby a second silicon carbide layer is epitaxially grown on said first surface of said...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 25

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