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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0693695 (1985-01-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 6 |
An improved power semiconductor device and manufacturing method are described wherein the external, thermally conducting, heat transfer face of the device is electrically insulated by a glassy dielectric which is intimately bonded directly to the conductive heat spreader supporting the semiconductor
A method for manufacturing an electrical device adapted to receive at least one semiconductor die, comprising: forming a metallic heat spreader having a base portion with a first surface adapted to receive semiconductor die, a second surface opposite said first surface adapted to receive refractory
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