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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0610337 (1984-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 12 |
A method of fabricating an integrated circuit chip including insulated gate field effect transistors, and an integrated circuit chip produced thereby. By a series of complementary self-aligned masking operations, the field oxide is produced from an initial oxide layer to define active device regions
A method of forming an integrated circuit chip on a substrate of a first conductivity type comprising the steps of: A. depositing an insulation layer and a second layer over a surface of the substrate; B. defining active device regions and removing portions of the second layer in the field regions t
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