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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0539878 (1983-10-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 1 |
A solid state photon detector includes a semiconducting blocking layer with sufficiently low donor and acceptor concentrations that substantially no charge transport can occur by an impurity conduction mechanism. A semiconducting buffered layer is provided with a sufficiently high donor impurity con
A solid state photon detector for operation under an applied electrical bias, comprising: a first semiconducting region with first and second conductivity type impurity concentrations which are low enough that substantially no charge transport occurs by an impurity conduction mechanism; a second sem
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