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특허 상세정보
Solid state photomultiplier
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-027/14 H01L-031/00 |
| 미국특허분류(USC) | 357/30 |
| 출원번호 | US-0539878 (1983-10-07) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 1 |
초록
A solid state photon detector includes a semiconducting blocking layer with sufficiently low donor and acceptor concentrations that substantially no charge transport can occur by an impurity conduction mechanism. A semiconducting buffered layer is provided with a sufficiently high donor impurity concentration to create an impurity energy band and with a sufficiently high acceptor impurity concentration that an electron cannot be injected into and drift through the layer without recombining with ionized donors. A semiconducting active layer is positioned ...
대표
청구항
A solid state photon detector for operation under an applied electrical bias, comprising: a first semiconducting region with first and second conductivity type impurity concentrations which are low enough that substantially no charge transport occurs by an impurity conduction mechanism; a second semiconducting region with a first conductivity type impurity concentration which is high enough to create an impurity energy band and with a second conductivity type impurity concentration which is high enough that first conductivity type carriers injected into ...
이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 15
- Salokatve Arto,FIX ; Toivonen Mika,FIX ; Jalonen Marko,FIX ; Kojola Hannu,FIX ; Pessa Markus,FIX. Detector for detecting photons or particles, method for fabricating the detector, and measuring method. USP1999065914491.
- Petroff Michael D. (Fullerton CA). Impurity band conduction detector having photoluminescent layer. USP1991035001532.
- Stapelbroek Maryn G. (Santa Ana CA) Petroff Michael D. (Fullerton CA) Bharat Ramasesha (Orange CA). Intrinsic impurity band conduction detectors. USP1990104962304.
- Takimoto, Takahiro; Ohkubo, Isamu; Kubo, Masaru; Nakamura, Hiroki; Fukushima, Toshihiko; Yoshikawa, Toshifumi. Light receiving element, light detector with built-in circuitry and optical pickup. USP2005096949809.
- Muller, Frank; Pfister, Andreas; Leuterer, Martin; Keller, Peter. Method for a layer-wise manufacturing of a three-dimensional object. USP2015049011982.
- Zenasni, Aziz. Method for preparing an oriented-porosity dielectric material on a substrate by means of electromagnetic and photonic treatment. USP2014018623466.
- Zenasni, Aziz. Method for preparing an oriented-porosity dielectric material on a substrate by means of electromagnetic and/or photonic treatment. USP2012038133548.
- Stapelbroek,Maryn G.; Hogue,Henry H.; D'Souza,Arvind I.. Near-infrared visible light photon counter. USP2007047202511.
- Short,Jonathan D.; Possin,George E.; LeBlanc,James W.; Rodrigues,Rogerio G.; Burr,Kent C.; Couture,Aaron J.; Li,Wen. Photon counting CT detector using solid-state photomultiplier and scintillator. USP2008077403589.
- Bharat Ramasesha (Orange CA) Petroff Michael D. (Fullerton CA). Short wavelength impurity band conduction detectors. USP1990014896202.
- Teshima, Masahiro; Mirzoyan, Razmik; Dolgoshein, Boris Anatolievich; Klemin, Sergey Nikolaevich; Popova, Elena Viktorovna; Filatov, Leonid Anatolievich. Silicon photoelectric multiplier (variants) and a cell for silicon photoelectric multiplier. USP2010077759623.
- Zheng, Xinyu; Cunningham, Thomas J.; Pain, Bedabrata. Single photon detection with self-quenching multiplication. USP2011098022351.
- Burr, Kent Charles; Wang, Gin-Chung Jimmy; Couture, Aaron Judy. Solid-state photomultiplier having improved timing resolution. USP2012028110806.
- Tennant,William E.; Gunning, III,William J.; Arias,Jose M.. Spectral imager and fabrication method. USP2007097274011.
- Granfors, Paul Richard; Maolinbay, Manat; Aufrichtig, Richard. System and method for compensation of scintillator hysteresis in x-ray detectors. USP2009077558412.
