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특허 상세정보

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Growth of oxide thin films using solid oxygen sources

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-016/40   
미국특허분류(USC) 427/87 ; 427/1263 ; 427/255 ; 427/2553
출원번호 US-0585014 (1984-03-02)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 2
초록

Oxide (RmOn) films are grown by evaporation from separate sources of element (R) and an oxide (MrOs) which serves as the oxygen source. The oxide (MrOs) should sublimate congruently; i.e., without decomposing into oxygen and its constituent element (M). On the growth surface this oxide (MrOs) can react with the element (R) to form another oxide (RmOn) that is thermodynamically more stable: mR+MrOs→RmOn+MrOs-n Using this technique, films of Al2O3, MgO, SiO2, and MgAl2O4 have been grown using As2O3 or Sb2O3 as the oxygen source.

대표
청구항

A method of fabricating a device including an oxide film RmOn, where R is at least one metal or at least one semiconductor, or combination thereof, and m and n are integers, comprising the steps of: (a) mounting a substrate in a chamber, (b) providing in the chamber a solid source of an oxygen compound, which is separate from the substrate and which does not contain R, (c) providing an unoxidized source of R in the chamber, and (d) heating the sources to evaporation, the evaporants reacting to form the oxide film RmOn on the substrate.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Yoshioka Nobuyuki (Fujisawa JPX) Suzuki Tsutai (Tokyo JPX) Haba Masanori (Kashiwa JPX) Koyama Hideo (Tokyo JPX). Method of making a non-linear voltage-dependent resistor. USP1983024374160.
  2. Wittry David B. (Pasadena CA). Method of making a photovoltaic cell employing a PbO-SnO heterojunction. USP1980044199383.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 5

  1. Ching, Jr., Larry K. W.; Puester, Neil. Battery. USP198912D304927.
  2. Cummins, Gerald A.; Bruss, Jack. Battery and battery container. USP2010117833658.
  3. Cummins,Gerald A.; Bruss,Jack. Battery and battery container. USP2008027332243.
  4. Mayr Kurt (Wangle ATX) Staffler Reinhard (Ehenbichl ATX) Tippelt Werner (Linz ATX) Scharizer Walter (Gallneukirchen ATX). Method for making a composite substrate for electronic semiconductor parts. USP1988104777060.
  5. Hsu Sheng Teng. Method for manufacturing a CMOS self-aligned strapped interconnection. USP1999065915199.

IPC 상위 출원인