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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0670409 (1984-11-09) |
우선권정보 | FR-0018125 (1983-11-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 100 인용 특허 : 1 |
A photosensitive device for the infrared range wherein each detector is connected to a first and a second MOS transistor. The second MOS transistors are addressed, column by column, by a first shift register. The first MOS transistors are connected, line by line, to a charge storage capacity and to
A photosensitive device for the infrared range comprising: an array of N lines and M columns of infrared detectors integrated on a first semiconductor substrate and two electrode arrays, one of the arrays being assigned to the detectors of the same line and the other to the detectors of the same col
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