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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0658961 (1984-10-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 56 인용 특허 : 2 |
A method of preparing a UV detector of AlxGa1-xN. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is utilized to grow AlN and then AlxGa1-xN on a sapphire substrate. A photodetector structure is fabricated on the AlGaN.
In a solid state UV detector comprising: a. a basal plane sapphire (Al2O3) substrate; b. an epitaxial single-crystalline aluminum nitride (AlN) layer grown on the surface of the substrate; c. An epitaxial single-crystalline aluminum gallium nitride (AlxGa1-xN) layer grown over said AlN layer; and, d
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