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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0768274 (1985-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 4 |
In a CMOS structure a pair of BJTs are provided with lateral collectors and operated at different current densities. The lateral collectors are coupled to a current mirror load which provides a single ended output node. The pair bases are coupled together and to the current mirror load input so that
A bias current generator circuit for implementation in CMOS construction, said circuit comprising: first and second BJTs, each one having a base, an emitter, a substrate dedicated collector and a lateral collector with the two collectors sharing the emitter current; means for operating said first BJ
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