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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0739820 (1985-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 6 |
A zener diode structure for integrated circuits is disclosed. The device includes a pair of parallel zener diodes connected back to back with a third zener diode. The anode of one of the parallel diodes is connected to the anodes of the other two diodes through a parasitic resistance. The zener brea
A temperature compensating buried zener diode device comprising: (a) a substrate of a first conductivity type semiconductor material; (b) a first layer of a second conductivity type semicondutor material disposed on said substrate and having a surface; (c) a second layer of highly doped second condu
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