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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0753393 (1985-07-10) |
우선권정보 | JP-0151722 (1984-07-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 83 인용 특허 : 1 |
A unit of light emitting diode arrays in accordance with the present invention comprises a main body (21) of n-GaAs, layers (22) and (23) of n-GaAsP formed on the main body and a plurality of light emitting regions (24) formed in a line by diffusion of Zn on the surface of the layers. Each of the li
A unit of light emitting diode arrays comprising: a substrate of a first conductivity type; a plurality of regions of a second conductivity type formed in the surface of said substrate to emit light corresponding to a dot shape, each of said plurality of regions including a dot-shaped portion and a
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