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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0758597 (1985-07-24) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 1 |
A process is disclosed for the production of elemental silicon that utilizes a non-reactive condensible gas as a means for purging the reactor of ambient air prior to the introduction of an alkali metal and a silicon tetrahalide.
A process for the production of substantially pure elemental silicon said process comprising the steps of: (a) passing a halogenated hydrocarbon gas containing one or more fluorine atoms that is condensible from -90°C. to +50°C. at atomspheric pressure into a reaction zone for use in the production
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