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특허 상세정보

Automated single slice powered load lock plasma reactor

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-021/306    B44C-001/22    C03C-015/00    C23F-001/02   
미국특허분류(USC) 156/345 ; 156/626
출원번호 US-0663905 (1984-10-22)
발명자 / 주소
  • Davis Cecil J. (Greenville TX) Spencer John E. (Plano TX) Hockersmith Dan T. (Garland TX) Hildenbrand Randall C. (Richardson TX) Brown Frederick W. (Colleyville TX) Kohan Stanford P. (Garland TX)
출원인 / 주소
  • Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 5
초록

A plasma reactor for the manufacturing of semiconductor devices has powered loadlocks and a main process chamber where slices can be processed one slice at a time with pre-etch plasma treatments before the main etching processing and afterwards receive a post etch treatment. The system comprises powered loadlocks, a main chamber, vacuum pumps radio frequency power supplier, radio frequency matching networks, heat exchangers and throttle valve and pressure controllers, gas flow distribution and microprocessor controllers. The semiconductor wafers are auto...

대표
청구항

An apparatus for the manufacturing of semiconductor devices from semiconductor wafers having a plurality of semiconductor circuit patterns on at least a first surface of the semiconductor wafer, the apparatus comprises: first means for providing a stream of reacting gases to react with the semiconductor wafer to create circuit elements according to the semiconductor circuit pattern thereby; second means for handling the wafers and includes a third means for bringing the wafers into contact with the reacting gas, fourth means for prereacting with a second...

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Welch, Michael D.; Herchen, Harald, Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate.
  2. Flinchbaugh Bruce E. (Dallas TX) Dolins Steven B. (Dallas TX) Srivastava Aditya (Richardson TX) Reese Jon (Waxahachie TX), Apparatus and method for production process diagnosis using dynamic time warping.
  3. Mikoshiba Nobuo,JPX ; Ohmi Tadahiro,JPX ; Tsubouchi Kazuo,JPX ; Masu Kazuya,JPX ; Suzuki Nobumasa,JPX, Chemical vapor deposition apparatus.
  4. Yokogawa, Ken'etsu; Miyake, Masatoshi, Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing.
  5. Walde Michael (Rodenbach DEX) Zeidler Peter (Hanau DEX) Domroese Dirk (Bispingen-Behringen DEX), Installation for charging and discharging substrates out of a vacuum tank.
  6. Ku, Shao-Yen; Yang, Chi-Ming; Chiang, Ming-Tsao; Tzeng, Yu-Fen; Lin, Chin-Hsiang, Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability.
  7. Diener, Christof-Herbert, Low-pressure plasma system with sequential control process.
  8. Blonigan, Wendell T.; Gardner, James T., Method and apparatus for detecting the endpoint of a chamber cleaning.
  9. Smith ; Jr. Michael Lane ; Stevenson Joel O'Don ; Ward Pamela Peardon Denise, Method and apparatus for monitoring plasma processing operations.
  10. Mu-Tsang Lin TW; Pin-Yi Hsin TW, Plasma etch method incorporating inert gas purge.
  11. Tepolt Gary B., Robotic wafer handler.
  12. Ukai Katsumi (Fuchu JPX) Tsukada Tsutomu (Fuchu JPX) Ikeda Kouji (Fuchu JPX) Adachi Toshio (Fuchu JPX), Vacuum processing apparatus.