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특허 상세정보

Photoelectric conversion element with light shielding conductive layer

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-027/14    H01L-031/02   
미국특허분류(USC) 250/578 ; 250/211J ; 357/30
출원번호 US-0824938 (1986-02-03)
우선권정보 JP-0190799 (1982-11-01)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 7
초록

A photoelectric conversion element comprises a substrate, a plurality of separate electrodes arranged in a row on the substrate, signal lead-out parts extending from the separate electrodes alternately to the left and the right in a direction perpendicular to the arranging direction of the separate electrodes, a photoelectric conversion layer covering the row of the separate electrodes, a transparent electrode formed on the photoelectric conversion layer, and a light shielding conductive layer formed on the transparent electrode. The light shielding cond...

대표
청구항

A photoelectric conversion element, comprising: a substrate; a plurality of separate electrodes arranged in a row on the substrate; signal lead-out parts extending from the separate electrodes alternately to the left and the right in a direction perpendicular to the arranging direction of the separate electrodes; a photoelectric conversion layer covering the row of the separate electrodes; a transparent electrode formed on the photoelectric conversion layer; and a light shielding conductive layer on that portion of the transparent electrode which corresp...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 14

  1. Kato Toshiaki (Matsumoto JPX). Contact type image sensor. USP1989084855802.
  2. Sasaki Saburo (Sendai JPX) Ishida Tsutomu (Machida JPX) Yamamoto Kenji (Miyagi JPX). Contact type image sensor. USP1989104874957.
  3. Nagata Tatsuya (Ibaraki JPX) Yamada Takehiko (Chigasaki JPX) Hara Eiichi (Chigasaki JPX) Watanabe Michihiro (Tsuchiura JPX). Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly. USP1990074940888.
  4. Nagata Tatsuya (Ibaraki JPX) Yamada Takehiko (Chigasaki JPX) Hara Eiichi (Chigasaki JPX) Watanabe Michihiro (Tsuchiura JPX). Facsimile equipment with direct-contact-type image sensor. USP1990124977313.
  5. Saito Tamio (Tokyo JPX) Takayama Satoshi (Kawasaki JPX) Suda Yoshiyuki (Yokohama JPX) Shimada Osamu (Yokohama JPX) Mori Ken-ichi (Tokyo JPX). Image sensors and methods of manufacturing same including semiconductor layer over entire substrate surface. USP1989024803375.
  6. Saito Tamio (Tokyo JPX). Image sensors using a photo-sensing element array and matrix wires methods of manufacturing same. USP1989024808833.
  7. Gofuku Ihachiro (Hiratsuka JPX) Osada Yoshiyuki (Atsugi JPX) Nakagawa Katsumi (Kawasaki JPX). Method for driving a photo-sensor by applying a pulse voltage to an auxiliary electrode during a non-read time. USP1989124886962.
  8. Nobue Mamoru (Ebina JPX) Tei Sadahiro (Ebina JPX). Method of fabricating an image sensor. USP1991034997773.
  9. Hashimoto, Sakae. Photoelectric conversion device. USP2013038390088.
  10. Yamazaki Shunpei (Tokyo JPX) Mase Akira (Atsugi JPX) Hamatani Toshiji (Atsugi JPX). Photoelectric conversion device with a high response speed. USP1991034999693.
  11. Farrier Michael G. (Santa Barbara CA) Myrosznyk James M. (Santa Barbara CA). Process methodology for two-sided fabrication of devices on thinned silicon. USP1988114782028.
  12. Hokari, Yasuaki; Taniji, Yukio. Solid-state image device. USP2003096618087.
  13. Nishizawa, Kenichi. Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device. USP2017039590003.
  14. Nishizawa, Kenichi. Solid-state imaging element, method of manufacturing the same, and imaging device for reducing thickness of photoelectric conversion film. USP20180610002902.