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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0804761 (1985-12-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 42 인용 특허 : 5 |
There is disclosed apparatus and methods of fabricating a piezoresistive semiconductor structure for use in a transducer. According to one method, a layer of silicon dioxide is grown over the surface of a first semiconductor wafer which is designated as a carrier wafer. A layer of glas is then forme
A semiconductor transducer structure comprising: a first carrier semiconductor wafer having a top composite surface including a first layer of an insulating silicon compound disposed on said surface with a layer of barosilicate glass disposed on said silicon compound, with a bottom surface having an
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