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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0230372 (1981-02-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 3 |
A broadband high temperature radome includes a high density outer skin layer and a low density core layer made from a ceramic material selected from the group consisting of silicon nitride and barium-aluminum silicate. Silicon nitride is sintered, reaction-sintered or chemically vapor-deposited. The
A two-layered broadband high temperature radome resistant to bending stresses induced by thermal gradients, said radome comprising a low density core layer and a high density outer skin layer each of said layers consisting of ceramic material selected from the group consisting of silicon nitride and
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