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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0721675 (1985-04-10) |
우선권정보 | JP-0114848 (1978-09-19); JP-0125485 (1978-10-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 4 |
A novel thin ribbon of semiconductor has a polycrystalline structure composed more than 50% of grains having a grain size of more than 5 mm
A thin ribbon of semiconductor material made of pure silicon or silicon with less than 10 atomic % of at least one additional impurity element, for improving the properties of a semiconductor, selected from the group consisting of hydrogen, phosphorus, sulfur, oxygen, boron, arsenic, tellurium, tin,
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