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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0692127 (1985-01-17) |
우선권정보 | FR-0000889 (1984-01-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 9 |
A circuit for biasing a field effect transistor using two voltages. With said circuit, the bias point of the transistor may be varied by varying the source bias voltage. At least one access electrode is polarized from a bias voltage through a first secondary transistor operating as saturable load. T
In a circuit for biasing a first field effect transistor, operating in the ultra high frequency range, whose gate is biased by a voltage through a first resistor, at least one main electrode of the first transistor, through which the ultra high frequency signal leaves, is biased from a voltage sourc
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