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Biasing circuit for a field effect transistor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H03K-017/284
  • H03K-017/687
  • H03G-011/04
  • H04B-003/04
출원번호 US-0692127 (1985-01-17)
우선권정보 FR-0000889 (1984-01-20)
발명자 / 주소
  • Rumelhard Christian (Creteil FRX)
출원인 / 주소
  • Thomson-CSF (Paris FRX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 9

초록

A circuit for biasing a field effect transistor using two voltages. With said circuit, the bias point of the transistor may be varied by varying the source bias voltage. At least one access electrode is polarized from a bias voltage through a first secondary transistor operating as saturable load. T

대표청구항

In a circuit for biasing a first field effect transistor, operating in the ultra high frequency range, whose gate is biased by a voltage through a first resistor, at least one main electrode of the first transistor, through which the ultra high frequency signal leaves, is biased from a voltage sourc

이 특허에 인용된 특허 (9)

  1. Sato Shuichi (Chofu JPX) Hirabayashi Makoto (Kodaira JPX) Hirata Yoshimi (Atsugi JPX) Yamada Takaaki (Atsugi JPX), Control circuit for signal transmission.
  2. Schrmann Josef H. (Oberhummel DEX), HF Amplifier circuit.
  3. Schuermann Josef H. (Oberhummel DEX), HF-amplifier circuit.
  4. Weber, Larry F., MOSFET Sustainer circuit for an AC plasma display panel.
  5. Wolkstein Herbert J. (Livingston NJ) Rosen Arye (Cherry Hill NJ) Goel Jitendra (Kendall Park NJ), Microwave power limiter comprising a dual-gate FET.
  6. Mawhinney Daniel D. (Livingston NJ) Wolkstein Herbert J. (Livingston NJ) Rosen Arye (Cherry Hill NJ) Turski Zygmond (Selden NY), Microwave power limiter comprising a single-gate FET.
  7. Archer William R. (Fort Wayne IN), Power FET inverter drive circuit.
  8. Hoffman Charles R. (Raleigh NC), Reversible electrically variable active parameter trimming apparatus utilizing floating gate as control.
  9. Stengl Jens-Peer (Munich DEX) Thomas Hartmut (Munich DEX) Tihanyi Jen (Munich DEX), Switch with series-connected MOS-FETs.

이 특허를 인용한 특허 (12)

  1. Kawai Takahisa,JPX ; Okamoto Itsuo,JPX, Amplifier circuit and multistage amplifier circuit.
  2. Frank Michael L. (Santa Clara CA), Current source as a microwave biasing element.
  3. Maloney Timothy J. (Palo Alto CA), Excess energy protection device.
  4. Fitzpatrick Mark E. (San Jose CA) Burd Robert C. (Sunnyvale CA), Floating transistor switch.
  5. Sifen Luo ; Tirdad Sowlati, High-frequency amplifier circuit with negative impedance cancellation.
  6. Ayasli Yalcin (Lexington MA) Katzin Peter J. (Arlington MA), High-power rf switching system.
  7. Ishikawa Takahide (Itami JPX) Nakahara Kazuhiko (Itami JPX), Method of producing an MMIC and the integrated circuit produced thereby.
  8. Maekawa Itaru (Kanagawa JPX) Ohgihara Takahiro (Kanagawa JPX) Tanaka Kuninobu (Kanagawa JPX), Monolithic microwave integrated circuit apparatus.
  9. Maoz Barak (Highland Park NJ), Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship.
  10. Taylor, Stewart S.; Zhan, Jing-Hong C., Vgs replication apparatus, method, and system.
  11. Maoz Barak (Highland Park NJ), Voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship.
  12. Yoder Max N. (6512 Truman La. Falls Church VA 22043), Yoked, orthogonally distributed equal reactance amplifier.
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