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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0916592 (1986-10-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 12 |
A process for preparing a T-gate structure for use in applying a gate voltage in a field effect transistor, wherein the gate has a short foot portion in contact with the semiconductor substrate for a short gate length and consequent low capacitance, and a large amount of metal in a contact head port
A process for preparing a T-gate metal structure for use in a semiconductor device, the T-gate having a foot in contact with a semiconductor substrate and an enlarged head upon the foot and integral therewith, comprising the steps of: furnishing a semiconductor substrate; depositing a dielectric lay
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