최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0849281 (1986-04-08) |
우선권정보 | JP-0073719 (1985-04-08); JP-0236948 (1985-10-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 2 |
In a method of producing silicon carbide by heating starting materials comprising siliceous material and carbonaceous material in a non-oxidizing atmosphere, those ingredients contained in gases evolved upon heating and solidified at a low temperature into impurities for silicon carbide are eliminat
A method for producing substantially pure b500 Å, which comprises: heating a mixture containing siliceous material and carbonaceous material having a C/Si atomic ratio of 2.1≤C/Si≤3.0 in a non-oxidizing atmosphere at a temperature of about 1750°C. to 2100°C. in a reaction furnace having a separate c
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.