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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0805029 (1985-12-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 66 인용 특허 : 30 |
A chemical vapor deposition apparatus includes a gas mixing chamber and a water-cooled reaction chamber with adjustable water-cooled baffle between them. A wafer is clamped face down to a chuck and an inert gas such as helium is forced between the chuck and the wafer to insure proper heat conduction
An apparatus for chemical vapor deposition on a workpiece comprising: a deposition reaction chamber; a gas mixing chamber communicating with said deposition reaction chamber; connection means for connecting a vacuum pumping means to said deposition reaction chamber; gas distribution means for introd
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