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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0932070 (1986-11-18) |
우선권정보 | DE-3544812 (1985-12-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 3 |
A double-walled quartz-glass tube for semiconductor-technology processes. The overall structure comprises an inner tube surrounded by a coaxially positioned outer tube. An annular space is left between them. The ends of the tubes that face in the same direction each have a closure. A processing-gas
In a double-walled quartz-glass tube for semiconductor-technology processes, having an inner tube surrounded by a coaxially positioned outer tube with an annular space between the inner and outer tubes and with the ends of the inner and outer tubes that face in the same direction each having a closu
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