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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0921435 (1986-10-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 42 인용 특허 : 0 |
A high vacuum ion implantation chamber has a lower wall formed with an opening accommodating a depending sleeve through which a shaft passes supporting a substrate support platform at the top and connectable to external linear and rotary drives at the bottom. The sleeve is formed with four axially s
A linear gas bearing comprising shaft means for coupling vertical linear movement from an external source to a platform located inside a high vacuum chamber having a chamber wall, sleeve means connected to said chamber wall for slidably accommodating said shaft means, said sleeve means being formed
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