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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0828469 (1986-02-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 40 인용 특허 : 0 |
A programmable memory includes a memory matrix (34) with a row decode circuit (36) and a column decode circuit (48) operable in the program mode to select one of the memory elements in the memory matrix (34). A current boost circuit (50) is operable to provide increased current to the selected cell
A programmable memory, comprising: a matrix of programmable memory cells arranged in rows and columns, each cell for storing first and second logic states with each of said cells normally in the first logic state and programmable to the second logic state, said matrix in an operating mode having out
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