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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0735556 (1985-05-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 0 |
Particles and particle-generated defects during epitaxial deposition are substantially decreased by the process of controlling the various particle transport mechanisms, such as, for example, by applying low level radiant energy during cold purge cycles in barrel reactors.
In a cold purge process for preparing a reactor chamber for the gas phase formation of an epitaxial layer on a wafer positioned within the reactor chamber by communicating a flow of conditioning gas into the reactor chamber, the reactor chamber system including radiant energy lamp means for heating
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