[특허]Integrable solid state battery and process for producing same

Integrable solid state battery and process for producing same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01M-010/38
출원번호	US-0859819 (1986-05-05)
우선권정보	FR-0006782 (1985-05-03)
발명자 / 주소	Balkanski Minko (2 avenue de Camens 75016 Paris FRX)
인용정보	피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 0

초록 ▼

This invention relates to a process for producing a solid state battery successively comprising, superposed between two metallic contact elements, a layer or thin film of an alkali metal such as lithium, constituting a source of ions, a layer or thin film of a superionic solid electrolyte and a layer or thin film of a layered intercalation compound capable of inserting ions issued from the alkali metal film. The lamellae of the film of layered compound are oriented so that their c-axis is substantially parallel to the surface of the solid electrolyte. The process consists essentially in making the layer or thin film of layered compound by direct grafting on the film which is to serve as substrate therefor, on which is initially impressed a grating which conditions the nucleation starting the crystal growth by means of the techniques of molecular beam deposition. The invention also relates to a battery made in accordance with this process.

대표청구항 ▼

A process for producing a solid state battery successively comprising, superimposed between two metallic contact elements, a layer or thin film of an alkali metal which provides a source of ions, a layer of thin film of superionic solid electrolyte glass of high ionic conductivity and a layer or thin film of a layered intercalation compound capable of inserting ions issued from the layer or thin film of alkali metal, the lamellae of the film of layered compound being oriented substantially perpendicularly to the surface of the solid electrolyte, said process comprising the steps of (a) forming on a substrate film surface a grating of electrically charged lines or of oxygenated surface atoms, and (b) molecular beam depositing the layer or thin film of the layered compound by direct grafting on the substrate film, said grating conditioning the nucleation starting of the layered growth.

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