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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0572185 (1984-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 98 인용 특허 : 0 |
An ambient sensing device is described especially suited to the sensing of a variety of ambient parameters. Photolithographic techniques are used to pattern a multiplicity of sensitive layers on a single monolithic substrate taking into account the wide range of plastic, gelatinous and ceramic mater
A multi-element ambient sensing probe comprising: a semiconductive substrate, a plurality of transistor devices defined by photolithographic techniques in said semiconductive substrate, each said transistor device including a control electrode, a first means for sensing at least one property of the
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