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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0873582 (1986-06-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 137 인용 특허 : 0 |
Apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition includes a manifold having inlet valves for simultaneously switching equal flows of reactive and nonreactive gas between a process chamber and a vent chamber. A constant flow through the process chamber during a dep
An apparatus for depositing material on a substrate, comprising: a process chamber; a plurality of gas sources each providing a gas flow; manifold means for directing gases selectively from the gas sources to the process chamber, the manifold means having first and second inlets for receiving gases
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