최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0802633 (1985-11-26) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
Process and apparatus for producing low cost, high purity solar grade silicon ingots in single crystal or quasi single crystal ingot form in a substantially continuous operation in a two stage reactor starting with sodium fluosilicate and a metal more electropositive than silicon (preferably sodium)
A process for producing solar grade silicon by reaction of gaseous silicon tetrafluoride with sodium in substantially stoichiometric quantities to produce a reaction product from which silicon is recovered and wherein said silicon tetrafluoride gas used in the reaction is obtained by thermal decompo
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.