[특허]Purification of silicon halides

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Purification of silicon halides 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C01B-033/107
출원번호	US-0712913 (1985-03-18)
발명자 / 주소	Kray William D. (Burnt Hills NY) Razzano John S. (Cohoes NY)
출원인 / 주소	General Electric Company (Waterford NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for the selective removal of boron halides and other Lewis acid-type impurities from silicon halides is disclosed. Treatment of contaminated silicon halides with siloxanes, which react with the impurities, allow the distillation of silicon halide which is virtually free from contamination w

대표청구항 ▼

A method for purifying silicon halides comprising: (A) adding to a solution of silicon halide contaminated with small amounts of Lewis acid impurities a stoichiometric excess, based on the concentration of the impurites, of an organosiloxane selected from the group consisting of cyclic siloxane monomers, polydimethylsiloxane fluids and dimethyl (methyl hydrogen)siloxane copolymers; (B) reacting the impurites in solution with said organosiloxane at a temperature of from about 100°C. to 200°C. until substantially all the impurities form non-volatile products; and thereafter (C) removing purified silicon halide by distillation.

이 특허를 인용한 특허 (12)

Tsujioka Shouichi,JPX ; Takahata Mituo,JPX ; Itou Hisakazu,JPX ; Kawashima Tadayuki,JPX ; Sato Keiji,JPX ; Sasaki Hiromi,JPX ; Yamamoto Sunao,JPX, Electrolytic solution for lithium cell and method for producing same.
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Auner, Norbert; Bauch, Christian; Holl, Sven; Deltschew, Rumen; Mohsseni, Javad; Lippold, Gerd; Gebel, Thoralf, Kinetically stable chlorinated polysilanes and production thereof.
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Bauch, Christian; Holl, Sven; Deltschew, Rumen; Mohsseni, Javad; Lubentsov, Andrey, Method for producing halogenated polysilanes.
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Xu,Chongying; Baum,Thomas H.; Borovik,Alexander S.; Wang,Ziyun; Lin,James T. Y.; Battle,Scott; Laxman,Ravi K., Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films.
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Auner, Norbert; Bauch, Christian; Holl, Sven; Deltschew, Rumen; Mohsseni, Javad; Lippold, Gerd; Gebel, Thoralf, Method for removing impurities from silicon.
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Xu,Chongying; Borovik,Alexander S.; Baum,Thomas H., Porogen material.
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Dukhedin-Lalla, Leisl; Shekk, German; de Neufville, John P.; Pikulin, Michael, Process and apparatus for removing Bronsted acid impurities in binary halides.
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Ghetti, Gianfranco, Processes for the purification of trichlorosilane or silicon tetrachloride.
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Rajoria, Dalbir S., Purification of gaseous inorganic halide.
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Chen,Tianniu; Xu,Chongying; Baum,Thomas H.; Laxman,Ravi K.; Borovik,Alexander S., Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films.
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Xu, Chongying; Roeder, Jeffrey F.; Baum, Thomas H.; Bilodeau, Steven M.; Battle, Scott; Hunks, William; Chen, Tianniu, Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films.
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Kishi, Ryota; Ishida, Masahiko; Netsu, Shigeyoshi, Trichlorosilane purification system and method for producing polycrystalline silicon.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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