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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0871330 (1986-06-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 25 인용 특허 : 0 |
An MOS temperature sensing circuit formed on a silicon substrate which may be used for disabling portions of output drivers in EPROM at high temperatures. The circuit uses a first and second diode, one of which has substantially larger area than the other. The diodes are reverse biased through field
An MOS temperature sensing circuit formed on a silicon substrate comprising: a first and a second load; a first and a second leakage device, coupled to said first and second loads, respectively, said loads biasing said leakage devices such that said devices each have a temperature dependent leakage
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