[특허]Composition double heterojunction transistor

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Composition double heterojunction transistor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/72 H01L-029/04 H01L-029/54 H01L-029/12
출원번호	US-0883876 (1986-07-09)
발명자 / 주소	Curran Patrick A. (Plano TX)
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보	피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0

초록 ▼

A heterojunction transistor has an acceptor doped superlattice base of sub-micron thickness, a composite emitter with a donor concentration adjacent the base, with a wider bandgap energy than the base, and with a low recombination velocity to minimize minority carrier diffusion and to set the divergence of emitter and base carrier velocities, and a collector configured like the emitter, permitting control and optimization of the cut-in voltage. The method for making the transistor includes forming the base, emitter, and collector by non-compensated, non-planar wafer processing techniques.

대표청구항

A heterojunction transistor comprising: a highly acceptor doped compositional hybrid superlattice base region of sub-micron thickness; a semimetal emitter on one side of said base, a semimetal collector on another side of said base; and a semimetal base contact in contact with said base.

이 특허를 인용한 특허 (10)

Enicks, Darwin Gene; Carver, Damian, Bandgap and recombination engineered emitter layers for SiGe HBT performance optimization.
상세보기
Enicks,Darwin Gene; Carver,Damian, Bandgap engineered mono-crystalline silicon cap layers for SiGe HBT performance enhancement.
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Plummer James D. (Portola Valley CA) Taft Robert C. (Stanford CA), Double heterojunction inversion base transistor.
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Toyoda,Kenji; Yuki,Koichiro; Takagi,Takeshi; Ohnishi,Teruhito; Kubo,Minoru, Heterojunction bipolar transistor having reduced driving voltage requirements.
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Kim Jae H. (Arcadia CA) Lin Steven H. (Temple City CA), High-gain AlGaAs/GaAs double heterojunction Darlington phototransistors for optical neural networks.
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Enicks,Darwin Gene, Method and system for controlled oxygen incorporation in compound semiconductor films for device performance enhancement.
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Hueting,Raymond Josephus Engelbart; Slotboom,Jan Willem; Van Den Oever,Leon Cornelis Maria, Semiconductor device and method of manufacturing such device.
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Morishita Masakazu (Atsugi JPX), Semiconductor device having a high current gain and a higher Ge amount at the base region than at the emitter and collec.
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Adam R. Brown NL; Godefridus A. M. Hurkx NL; Michael S. Peter NL; Hendrik G. A. Huizing NL; Wiebe B. De Boer NL, Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same.
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Hiroyuki Kano JP, Transistor with a quantum-wave interference layer.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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