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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0834912 (1986-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 39 인용 특허 : 2 |
A low dielectric constant material for use in the formation of thick film circuits such as VLSI devices. The material comprises a thick film insulation matrix of standard viscosity; a thick film organic vehicle; and a plurality of dry, hollow, glass microspheres. The insulation matrix, vehicle, and
A low dielectric constant material for use in the formation of thick film devices comprising a substantially homogenous blend of a thick film insulation matrix material comprising ceramic or glass ceramic composite said material having a dielectric constant less than about 4.5, a thick film organic
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