최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0008899 (1987-01-30) |
우선권정보 | KR-0009938 (1985-12-28) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 51 인용 특허 : 4 |
An apparatus for preparing high-purity polycrystalline silicon is constructed with a heating applicator, a vertical fluidized bed quartz reactor within the applicator, a microwave generator, microwave guide tubes for conveying microwaves from the microwave generator to the applicator, a reacting gas
An apparatus for the preparation of high-purity polycrystalline silicon, comprising applicator means, an elongated reactor means installed within said applicator means with the longitudinal axis of the reactor means being vertically disposed, said reactor means having an upper portion a microwave sh
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.