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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0015349 (1987-02-17) |
우선권정보 | JP-0034679 (1986-02-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 32 인용 특허 : 7 |
In a semiconductor memory device, a memory cell array is separated into at least two portions on a substrate, and a serial memory element, such as a shift register, and control signal lines are collectively disposed between the two memory cell array portions, and by this arrangement, the length of t
A high speed and high stability layout for semiconductor memory device comprising at least following circuit block elements on a semiconductor substrate: at least two substantially rectangular memory cell arrays each having first sides and second sides orthogonally crossing each other, disposed on s
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