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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0942918 (1986-12-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 150 인용 특허 : 3 |
A method for fabricating a copper indium diselenide semiconductor film comprising use of DC magnetron sputtering apparatus to sequentially deposit a first film of copper on a substrate and a second film of indium on the copper film. Thereafter the substrate with copper and indium films is heated in
A method for fabricating a copper indium diselenide semiconductor film comprising: in a single vacuum chamber sequentially depositing a film of copper on a substrate by DC magnetron sputtering from a first cathode and depositing indium on said film of copper by DC magnetron sputtering from a second
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