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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0158750 (1988-02-22) |
우선권정보 | JP-0049981 (1987-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 1 |
A method for manufacturing semiconductor absolute pressure sensor units includes anodically bonding a silicon sensor wafer (10) and a silicon cap wafer (12) with a borosilicate glass layer (32) disposed therebetween so as to surround respective sensor chips on the silicon sensor wafer (10) by introd
A method for manufacturing semiconductor absolute pressure sensor units comprising: a step of preparing a semiconductor sensor wafer (10) of one conductivity type having a plurality of first recesses (34) formed on one surface thereof in matrix so as to constitute diaphragms (36), thick boundary are
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