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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0050896 (1987-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 45 인용 특허 : 1 |
A charge pump circuit is integrated form utilizes a dual emitter transistor switch having low saturation voltage. The low saturation voltage for the transistor is provided by deriving a base bias voltage from the doubled voltage (2Vcc) and a collector voltage from the voltage supply (Vcc). Current-l
A charge pump circuit comprising a supply terminal for connecting to a voltage source, Vcc, a ground terminal for connecting to a ground potential, a first capacitor serially connected with first and second switch means between said supply terminal and said ground terminal, a third switch means conn
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