[특허]Process for synthesis of diamond by CVD

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B05D-005/12 B01J-003/06 C23C-016/00
출원번호	US-0086770 (1987-07-27)
우선권정보	JP-0264519 (1985-11-25)
국제출원번호	PCT/JP86/00599 (1986-11-25)
§371/§102 date	19870727 (19870727)
국제공개번호	WO-8703307 (1987-06-04)
발명자 / 주소	Hirose Yoichi (Kitakatsushika JPX)
출원인 / 주소	Showa Denko Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 48 인용 특허 : 0

초록 ▼

A synthesizing process for diamond by the chemical vapor phase growth method, characterized by converting an organic compound containing carbon, hydrogen and at least one of oxygen and nitrogen, to a gas phase, mixing the gas with hydrogen gas, decomposing the mixed gas by an energy of heat, electron beam, light, direct current glow discharge, alternating current glow discharge, or direct current arc discharge, and introducing the decomposed gas to the surface of a heated substrate (5) to deposit diamond on the surface of the substrate.

대표청구항 ▼

A synthesizing process for diamond by a chemical vapor phase growth method, characterized by converting an organic compound containing carbon, hydrogen and at least one of oxygen and nitrogen, to a gas phase, mixing the gas with hydrogen gas, decomposing the mixed gas by an energy of heat, electron beam, light, direct current glow discharge, alternating current glow discharge, or direct current arc discharge, and introducing the decomposed gas to the surface of a heated substrate to deposit diamond on the surface of the substrate.

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