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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0201509 (1988-06-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 65 인용 특허 : 2 |
A five transistor memory cell that can be reliably read and written from a single data line. The cell includes two inverters and a pass transistor. The cell read/write circuitry includes an address supply voltage source which is maintained at a first level during write and at a second level during r
A memory circuit comprising: a first inverter having an input lead and an output lead; a second inverter having an input lead connected to said output lead of said first inverter and having an output lead; and one and only one pass transistor, said pass transistor having a first source/drain, a seco
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