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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0151371 (1988-02-02) |
우선권정보 | DE-3708831 (1987-03-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 4 |
A semiconductor pressure sensor and method for its manufacture. Preferably, the pressure sensor is used as an absolute pressure sensor. The pressure sensor includes a pressure sensor chip of semiconductor material, the pressure sensor chip including a piezoresistive diaphragm. The pressure sensor is
A pressure sensor comprising: a pressure sensor chip of semiconductor material fastened on a conductor tape, the chip including a piezoresistive diaphragm; a casing for containing the pressure sensor chip and piezoresistive diaphragm, the casing defining an aperture for allowing the ambient pressure
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