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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0117923 (1987-11-03) |
우선권정보 | GB-0005647 (1984-03-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 45 인용 특허 : 5 |
In a pulsed radio frequency plasma deposition process the pulse repetition frequency is matched to the gas exchange rate. This is achieved by using a pulse width of 50 to 500 microseconds and a pulse repetition rate corresponding to the time within which gas is exchanged in the reaction region.
In a process for surface treatment of a substrate material wherein the substrate is exposed under reduced pressure to a high intensity pulsed radio frequency plasma, and wherein the plasma pulse repetition frequency corresponds to the rate at which gas is exchanged adjacent the substrate, the improv
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