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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0006688 (1987-01-23) |
우선권정보 | JP-0070101 (1985-04-04); JP-0148400 (1985-07-08); JP-0183098 (1985-08-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 6 |
Silicon carbide particles are produced by reacting a gaseous silicon compound or granular silicon with a carbon compound at a high temperature. In the reaction, the amount of free carbon content in the resultant silicon carbide particles can be controlled by monitoring the amount of unsaturated hydr
A process for producing a silicon carbide powder by reacting a gaseous silicon compound or particulate silicon with a gaseous carbon compound, in which acetylene of a by-product of said reaction is monitored so as to detect in real time a free carbon content in the silicon carbide powder produced, a
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