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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0050157 (1987-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 8 |
Silicon carbide is produced by a method which includes dipsersing silica in a residual oil, carbonizing the oil at elevated temperatures, and heating the carbonized dispersion to form silicon carbide. Preferably, the silica is an amorphous type. Preferred residual oils are produced by distilling awa
A method for producing silicon carbide comprising the steps of: (a) dispersing silica particles in a residual oil; (b) heating the silica-containing oil in a substantially nonoxidizing atmosphere at temperatures which carbonize the oil; (c) heating the carbonized oil in a substantially nonoxidizing
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