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특허 상세정보

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Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C23C-016/00   
미국특허분류(USC) 118/719 ; 118/715 ; 118/725
출원번호 US-0164677 (1988-03-07)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 16  인용 특허 : 7
초록

An apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition is disclosed. The apparatus employs a heated quartz reactant reservoir, quartz lines, a quartz valve and, optionally, a purge system. The apparatus may also include a quartz refill reservoir and heating means for the quartz lines. The purge system may be a vacuum purge system.

대표
청구항
▼

An apparatus suitable for providing vaporized reactant for chemical-vapor deposition, said apparatus comprising: a. a heated quartz reactant reservoir for providing a vaporized reactant for chemical-vapor deposition, said reactant reservoir having a reactant reservoir carrier gas inlet and a vaporized reactant outlet; b. a carrier gas header having a carrier gas inlet conduit, a first carrier gas outlet conduit and a second carrier gas outlet conduit, said first carrier gas outlet conduit connecting at its end opposite end carrier gas header with said re...

이 특허에 인용된 특허 (7)

  1. Conger Darrell R. (Portland OR) Posa John G. (Lake Oswego OR) Wickenden Dennis K. (Lake Oswego OR). Apparatus for depositing material on a substrate. USP1988084761269.
  2. Crawley John A. (Royston GB2). Apparatus for vapor deposition of a film on a substrate. USP1984054446817.
  3. Wolfson Robert G. (Concord MA) Vernon Stanley M. (Wellesley MA). CVD reaction chamber. USP1986064596208.
  4. Hoke William E. (Wayland MA) Traczewski Richard (Milton MA) Lemonias Peter J. (Watertown MA). Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials. USP1986024568397.
  5. Posa John G. (Lake Oswego OR). Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition. USP1988054747367.
  6. Barbee Steven G. (Dover Plains NY) Devine Gregory P. (Poughguag NY) Patrick William J. (Newburgh NY) Seeley Gerard (Wappingers Falls NY). Vacuum deposition system with improved mass flow control. USP1987024640221.
  7. McMenamin Joseph C. (Oceanside CA). Vapor mass flow control system. USP1984034436674.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 16

  1. Barbee Steven George ; Conti Richard Anthony ; Kostenko Alexander ; Sarma Narayana V. ; Wilson Donald Leslie ; Wong Justin Wai-Chow ; Zuhoski Steven Paul. Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide. USP1998035728222.
  2. Loan James F. ; Salerno Jack P.. Film processing system. USP2001106296711.
  3. Loan, James F.; Salerno, Jack P.. Film processing system. USP2003126663716.
  4. Arena, Chantal; Werkhoven, Christiaan. Gallium trichloride injection scheme. USP2016119481943.
  5. Kyu Hong Lee KR; Won Gu Kang KR; Sang Won Kang KR. Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same. USP2002086432205.
  6. Arena, Chantal; Bertram, Jr., Ronald Thomas; Lindow, Ed; Werkhoven, Christiaan. Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same. USP2016119481944.
  7. Takeshita, Kazuhiro; Nagashima, Shinji; Mizutani, Yoji; Katayama, Kyoshige. Gas treatment apparatus. USP2003126660096.
  8. Yao Chang-Chu,TWX ; Lin Tsun-Ching,TWX ; Wang Jo-Fei,TWX ; Yeh Hsiao-Lan,TWX. Method and apparatus for automatic purge of HMDS vapor piping. USP1998065763006.
  9. Loan James F. ; Salerno Jack P.. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate. USP2000106136725.
  10. Bremser, Michael; Dauelsberg, Martin; Strauch, Gerhard Karl. Method for depositing in particular crystalline layers, and device for carrying out the method. USP2005126972050.
  11. Nakajima, Shigeru; Shima, Hiromi; Tachino, Yusuke. Method of controlling gas supply apparatus and substrate processing system. USP2017099758867.
  12. Danek, Michal; Levy, Karl B.; Choe, Hyoun S.. Method of depositing diffusion barrier for copper interconnect in integrated circuit. USP2003036534404.
  13. Roeder Jeffrey ; Van Buskirk Peter C.. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions. USP1999035876503.
  14. Moriyama, Masashi; Yamahira, Yutaka; Matsuyama, Yuji. Processing liquid supply unit. USP1991075035200.
  15. Hong, Jong-Won; Jeong, Min-Jae; Na, Heung-Yeol; Kang, Eu-Gene; Chang, Seok-Rak. Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same. USP2013018343281.
  16. Taniguchi, Kazuhiro. Vaporizer for ion source. USP2005046878945.

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