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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0204997 (1988-06-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 57 인용 특허 : 21 |
Disclosed is a wafer substrate for integrated circuits 1 which by itself may be made either of conductive or non-conductive material. This substrate carries two planes or layers of patterned metal 19,20, thus providing two principal levels of interconnection. A programmable amorphous silicon insulat
A substrate for interconnecting a plurality of integrated circuits: a base wafer; a first power plane deposited on said base wafer; a thin dielectric plane deposited on said first power plane layer; a second power plane deposited on said dielectric plane layer; said first power plane, said dielectri
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